بررسی و شبیه سازی ساختار ترانزیستور soi برای بهبوداثرات خود گرمایی

پایان نامه
چکیده

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که هدایت گرمایی بالاتری نسبت به اکسید سیلیکون جهت انتقال گرمای ایجاد شده به خارج از افزاره را داشته باشد. هدایت گرمایی بالا در ماده الماس موجب ارائه این ایده گردیده که تکنولوژی سیلیکون روی الماس پاسخگوی خوبی برای حل مسئله خودگرمایی است.

منابع مشابه

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

متن کامل

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور soi-mosfet چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

متن کامل

تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور soi-mosfet برای بهبود اثرات کانال کوتاه

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

15 صفحه اول

مطالعهء موردی جزیرهء گرمایی تهران و شبیه سازی عددی آن

در این مطالعه جزیرهء گرمایی تهران با استفاده از یک مدل منطقه ای محدود برای پیش بینی عددی وضع هوا، موسوم به مدلMM5شبیه سازی شده است. برای این منظور سه دامنه با تفکیک افقی 27، 9و3 کیلومتر در نظر گرفته شد. مدل MM5برای 2روز مختلف، یکی در زمان استقرار تودهء هوای قاره ای قطبی (تودهء هوای سرد) و دیگری در زمان استقرار تودهء هوای قاره ای حاره ای (تودهء هوای گرم) اجرا وخروجی های دامنة با درجه تفکیک زیاد...

متن کامل

کاربرد روش تحلیلی در مدل سازی یک ترانزیستور soi

در این رساله یک مدل دو بعدی تحلیلی برای تغییرات پتانسیل سطح در امتداد کانال در تخلیه کامل یک ماسفت دو گیتی سیلیکن روی عایق پیشنهاد شده است تا اثرات کانال کوتاه در آن مورد بررسی قرار گیرد. ترانزیستور ما شامل دو گیت و اختلاف ولتاژ بین آن دو می باشد. ما نشان می دهیم که پتانسیل سطح در کانال یک تابع پله ای را نمایش می دهد که به منزله عدم تاثیر گذاری بایاس درین بر روی پتانسیل سطح است. این اختلاف پتان...

15 صفحه اول

شبیه سازی روشی برای بررسی رفتارهای اجتماعی

شـبیه سـازی شـیوة سـومی بـرای تحقیـق اجتمـاعی در کنـار قیـاس و اسـتقرا اسـت. در ایـن شـیوه،نظــام روشــنی ارائــه مــیشــود و براســاس آن، داده هــای مناســب تولیــد مــیشــود. رشــد روزافــزونشــبیه ســازی در دهــۀ گذشــته حکایــت از قابلیــتهــای آن در حــوزة تحقیقــات اجتمــاعی دارد. درمقالـه حاضـر سـه دسـته اصـلی شـبیه سـازی تشـریح شـده اسـت: تمـام انسـانی، انسـانی-کـامپوت...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک

کلمات کلیدی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023